二氧化硅（SiO₂）是一种广泛应用于工业、电子、化工及材料科学领域的无机化合物，其纯度、形态和物理化学性质直接影响产品质量与性能。在半导体制造中，高纯二氧化硅是晶圆表面钝化层的关键材料；在橡胶、涂料等行业，纳米二氧化硅的粒径分布决定产品增强效果；而医药领域对二氧化硅杂质的控制更是关乎安全性。因此，二氧化硅检测成为原料筛选、生产过程监控和成品质量评定的核心环节，涉及多种分析手段和严格的标准体系。
针对不同应用场景，二氧化硅检测通常涵盖以下关键指标：
1. 纯度检测：通过测定SiO₂含量（通常要求≥99.9%）及金属杂质（如Fe、Al、Ca等），评估材料等级。电子级二氧化硅需满足ppb级杂质限值。
2. 粒度分析：使用激光粒度仪或电镜测量颗粒尺寸及分布，纳米二氧化硅需控制D50在10-100nm范围，分散性直接影响产品性能。
3. 比表面积检测：采用BET氮吸附法测定，该参数与吸附性、反应活性密切相关，工业催化剂载体要求比表面积＞200m²/g。
4. 结构表征：通过XRD分析晶型（α-石英、无定形等），红外光谱验证表面羟基含量，直接影响热稳定性和化学活性。
1. X射线荧光光谱（XRF）：快速测定主量元素SiO₂含量，适用于产线快速筛查，精度可达0.01%。
2. 电感耦合等离子体质谱（ICP-MS）：检测痕量金属杂质，检出限低至0.1ppb，满足高纯材料要求。
3. 激光散射法：马尔文粒度仪可实时监测颗粒分布，动态范围覆盖0.1nm-3mm，适应纳米至微米级检测。
4. 热重分析（TGA）：结合高温灼烧法，准确测定灼烧失量（LOI），评估水分及有机物残留。
国际与国内标准共同规范检测流程：
1. ISO 3262系列：针对涂料用二氧化硅的pH值、吸油量等指标制定全球通用测试方法。
2. ASTM E1620：规定XRF法测定二氧化硅含量的操作规范，确保数据可比性。
3. GB/T 20020-2013：中国国家标准明确气相法二氧化硅的挥发分、压实密度等检测要求。
4. SEMI C3.8：半导体行业专用标准，对电子级二氧化硅的金属杂质、颗粒度提出严苛限值。
企业需根据产品用途选择对应标准，例如光伏级二氧化硅需同时满足SEMI与IEC 61215标准中的污染物控制要求。
